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Marking：CDE1065G1；Package：TO-263；Silicon Carbide Schottky Barrier Diode Features ?TemperatureIndependentSwitchingBehavior ?HighSurgeCurrentCapability ?PositiveTemperatureCoefficientonVF ?LowConductionLoss ?ZeroReverseRecovery ?Highjunctiontemperature175oC ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?GreenmoldingcompoundasperIEC612 | PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司 | PANJIT |
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