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BD650

SiliconNPNPowerTransistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

BD650

SiliconPNPDarlingtonPowerTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

BD650CS

SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS

Voltage40~200VCurrent6A Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O. ●Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace ●Lowpowerloss,Highefficiency ●Highsurgecapacity ●Hightemperaturesolderingguaranteed:260oC

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

BD650CS

6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司

BD650CT

SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS

SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O ?Forsurfacemountedapplications ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Lowpowerloss,Highefficiency ?Highsurgecapacity ?F

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

BD650CT

6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司

BD650F

iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BFP650

NPNSiliconGermaniumRFTransistor

ProductBrief TheBFP650isahighlinearitywidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4VandcurrentsuptoIC=150mA.With

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP650

NPNSiliconGermaniumRFTransistor

NPNSiliconGermaniumRFTransistor Preliminarydata ?Forhighpoweramplifiers ?Idealforlowphasenoiseoscilators ?Maxim.availableGainGma=21dBat1.8GHz NoisefigureF=0.9dBat1.8GHz ?Goldmetallizationforhighreliability ?70GHzfT-SiliconGermaniumtechnology.

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP650

HighLinearityLowNoiseSiGe:CNPNRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多AWM650RX-PX供應商 更新時間2025-7-28 16:24:00

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