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Marking：016N08NS；Package：PG-TO263-3；StrongIRFETTM 2 Power-Transistor Features ?Optimizedforawiderangeofapplications ?N-Channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：016N08NS；Package：PG-TO220-3；StrongIRFETTM2Power-Transistor Features ?Optimizedforawiderangeofapplications ?N-Channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
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