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iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=28A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=52mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | ||
N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFETS ?175°CJunctionTemperature ?LowThermalResistancePackage | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP28N10SDEisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=52mΩMAX.(VGS=10V,ID=14A) RDS(on)2=59mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=14A) ?LowCiss:Ciss=2200pFTYP.(VDS=2 | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
ProductScoutAutomotive | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
StarMOSTPowerMOSFET | Good-Ark GOOD-ARK Electronics | Good-Ark |
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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