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WMO20N65EM

N-Channel SJ-MOS EM;

采用先進的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設計結(jié)構(gòu)，相比傳統(tǒng)的高壓VDMOS，新一代Wayon WMOS? C2 系列產(chǎn)品具有極低的特征導通電阻。C2系列的FOM (RDS(on)*Qg)較C1系列降低38%，有助于提升開關(guān)電源的效率及功率密度。相比傳統(tǒng)VDMOS，500V-900V WMOS? C2系列產(chǎn)品具有更好的性價比。

WayonWayon Electronics Co.,Ltd.

維安上海維安電子有限公司

20N65

20A,650VN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC20N65isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

20N65

20AN-ChannelPowerMOSFET

Features ●RDS(ON)=0.35Ω ●Ultralowgatecharge(Typical150nC) ●Lowreversetransfercapacitance(CRSS=typical36pF) ●Fastswitchingcapability ●Avalancheenergyspecified ●Improveddv/dtcapability,highruggedness Application ●Powerfactorcorrection（PFC） ●Switchedm

SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd.

順燁電子江蘇順燁電子有限公司

20N65A

20A650VN-channelenhancementmodefieldeffecttransistor

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風微電子廣東佑風微電子有限公司

WNM2021-3/TR

WILLSEMI微碧
SOT-323

WILLSEMI微碧

相關(guān)企業(yè)：深圳市樂創(chuàng)天科技有限公司

WILLSEMI微碧

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    TO-252

  • VDS(V)：

    650

  • RDS(on) (Ω)@VGS=10V(max.)：

    0.24

  • ID (A)@TA=25℃：

    17

  • PD (W)@TA=25℃：

    130

  • Qg (nC)：

    /

  • VGS (V)：

    30

  • VGS(th)(V) (Typ.)：

    3

  • Product Status：

    MP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NK/南科功率
2025+
TO-252-2
986966
國產(chǎn)
 詢價
24+
N/A
75000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
 詢價
CYGWAYON(長園維安)
2405+
Original
50000
只做原裝優(yōu)勢現(xiàn)貨庫存,渠道可追溯
 詢價
2000
原裝現(xiàn)貨
 詢價
WAYON/維安
23+
NA
6800
原裝正品,力挺實單
 詢價
更多WMO20N65EM供應商 更新時間2025-7-30 14:13:00

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