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VI30100C-E3SLASH4W中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

VI30100C-E3SLASH4W
廠商型號

VI30100C-E3SLASH4W

功能描述

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A

文件大小

167.4 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

VISHAY威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-6-25 12:28:00

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VI30100C-E3SLASH4W規(guī)格書詳情

Ultra Low VF= 0.455 V at IF= 5 A

FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Low thermal resistance

? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

? AEC-Q101 qualified

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

?Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
VISHAY
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全新原裝現(xiàn)貨
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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