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VI20120C-E3SLASH4W中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

VI20120C-E3SLASH4W
廠商型號(hào)

VI20120C-E3SLASH4W

功能描述

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件大小

163.15 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

VISHAY威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-20 23:00:00

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