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V20120C-E3/4W

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) ?Componentinacco

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

V20120C-E3/4W

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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VB20120C-E3/4W

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

VI-213-CV

VIC
模塊

VIC

VI-264-CU

VIC
模塊

VIC

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更多VI20120C-E3/4W整流器件供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-3 11:00:00

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