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VF20200G

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

UltraLowVF=0.62VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathte

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF20200G

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF20200G

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF20200G-E3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF20200G-E3-4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

UltraLowVF=0.62VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathte

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF20200G-E3

Low forward voltage drop, low power losses

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF20200G-E3/4W

Package：TO-220-3 全封裝，隔離接片；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V ITO220

ETC

ETC

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    VF20200G

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
23+
TO220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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VISHAY/威世
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50000
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VISHAY/威世
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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只做自己庫存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開13%增
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Vishay Semiconductor Diodes Di
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更多VF20200G供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 13:01:00

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