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VF20100C-E3SLASH4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s

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V20100C-E3SLASH4W

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A

UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s

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VB20100C-E3SLASH4W

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A

UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s

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DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A

UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s

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VF526DT

HONEYWELL
SOT89

HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center

霍尼韋爾霍尼韋爾國際

上傳：深圳市粵科源興科技有限公司

Honeywell
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