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VBT3080S-M3

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIO

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VBT3080S-M3

High efficiency operation

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VBT3080S-M3_V01

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIO

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VBT3080S-M3_15

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VBT3080S-M3/4W

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VBT3080S-M3/8W

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VFT3080S-M3

TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VFT3080S-M3

Highefficiencyoperation

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

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更多VBT3080S-M3供應商 更新時間2025-5-10 14:50:00

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