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VB20150C-M3_V01

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICAT

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

Vishay

VB40120C-E3Z/I

VISHAY/威世
NA

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上傳：深圳瞄鈞科技有限公司

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VBPW34FASR

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VIMICROVimicro Corp

中星微北京中星微電子有限公司

上傳：深圳市金瑞寶科技有限公司

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中星微

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