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V8P12

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V8P12

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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威世科技威世科技半導體

V8P12_V01

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V8P12_15

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V8P12_15

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V8P12HM3-86A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V8P12HM3-87A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V8P12-M3-86A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V8P12-M3-87A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

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V8P12HM3_A/I

Package：TO-277，3-PowerDFN；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 120V 8A TO277A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

詳細參數

  • 型號：

    V8P12

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多V8P12供應商 更新時間2025-7-24 11:26:00

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