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V6KM45DUHM3SLASHH中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
V6KM45DUHM3SLASHH |
| 功能描述 | High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 1.5 A |
| 文件大小 |
135.88 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
VISHAY【威世科技】 |
| 中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-6-22 11:06:00 |
| 人工找貨 | V6KM45DUHM3SLASHH價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
V6KM45DUHM3SLASHH規(guī)格書詳情
? Trench MOS Schottky technology
? Low forward voltage drop, low power losses
? High efficiency operation
? Meets MSL level 1, per J-STD-020,
LF maximum peak of 260 °C
? AEC-Q101 qualified available
- Automotive ordering code: base P/NHM3
