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V6KL45DU-M3SLASHH中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
V6KL45DU-M3SLASHH |
功能描述 | High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.30 V at IF = 1.5 A |
文件大小 |
135.17 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
企業(yè)簡稱 |
VISHAY【威世科技】 |
中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-6-21 11:06:00 |
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V6KL45DU-M3SLASHH規(guī)格書詳情
? Trench MOS Schottky technology
? Low forward voltage drop, low power losses
? High efficiency operation
? Meets MSL level 1, per J-STD-020,
LF maximum peak of 260 °C
? AEC-Q101 qualified available
- Automotive ordering code: base P/NHM3