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V31M103C-M3/P中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

V31M103C-M3/P
廠商型號

V31M103C-M3/P
功能描述

Dual High Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.45 V at IF = 5 A
文件大小

149.69 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

VISHAY【威世科技】

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-21 23:00:00
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V31M103C-M3/P規(guī)格書詳情

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,

per JESD 22-B106

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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