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V20E60P

Reduced footprint and volume required for surge protection

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

V20E60P

Package：圓片式 20mm；包裝：散裝 類別：電路保護 TVS - 壓敏電阻，MOV 描述：VARISTOR 100V 10KA DISC 20MM

ETC

ETC

V20E60PL2T7

Package：圓片式 20mm；包裝：帶盒（TB） 類別：電路保護 TVS - 壓敏電阻，MOV 描述：VARISTOR 100V 10KA DISC 20MM

ETC

ETC

ITK20E60U

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

RU20E60L

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

RU20E60L

N-ChannelAdvancedPowerMOSFET

RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd

銳駿半導(dǎo)體深圳銳駿半導(dǎo)體股份有限公司

TK20E60U

SwitchingVoltageRegulators

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK20E60U

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TK20E60U

SwitchingVoltageRegulators

Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.165?(typ.) (2)Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=12S(typ.) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=600V) (4)Enhancementmode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA) Applications ?SwitchingVoltageRegulat

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK20E60W

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.13Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    V20E60P

  • 制造商：

    Littelfuse Inc.

  • 類別：

    電路保護 > TVS - 壓敏電阻，MOV

  • 系列：

    LV UltraMOV?

  • 包裝：

    散裝

  • 能源：

    100J

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    圓片式 20mm

  • 描述：

    VARISTOR 100V 10KA DISC 20MM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多V20E60P供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 14:16:00

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