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V20120C-E3SLASH4W中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

V20120C-E3SLASH4W
廠商型號

V20120C-E3SLASH4W

功能描述

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

文件大小

167.06 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

VISHAY威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-23 8:31:00

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V20120C-E3SLASH4W規(guī)格書詳情

FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

? Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)

? Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

?? For use in high frequency inverters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc converters and reverse battery protection.

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