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UPA2703GR

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2703GRisN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconvertersandpowermanagement applicationsofnotebookcomputers. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=4.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=9.0A) RDS(on)2=6.4mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=9.0A) ?Lo

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UPA2713GR

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