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UN0315N1R6-PD56中文資料優(yōu)恩半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

UN0315N1R6-PD56
廠商型號

UN0315N1R6-PD56

功能描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

絲印標識

UN0315N

封裝外殼

DFN5x6-8L

文件大小

4.28364 Mbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 UN Semiconducctor INC
企業(yè)簡稱

UNSEMI優(yōu)恩半導體

中文名稱

深圳市優(yōu)恩半導體有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-6 23:00:00

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UN0315N1R6-PD56規(guī)格書詳情

Feature

Proprietary Trench Gate Device Design and Processes

Extremely low on-resistance RDS(ON)

100 Avalanche Tested

Reliable and Rugged

RoHS compliant

Applications

DC/DC Converter

Battery Management System

Industrial and Motor Drive applications

Synchronous rectifier applications

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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