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UGB15JT-E3/81

High Voltage Ultrafast Rectifier

FEATURES ?Glasspassivatedchipjunction ?Ultrafastrecoverytimes ?Softrecoverycharateristics ?Lowswitchinglosses,highefficiency ?Highforwardsurgecapability ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum ???peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(fo

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

UGB15JT-E3/81

Package:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述:DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    UGB15JT-E3/81

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 二極管類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io):

    15A

  • 速度:

    快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-263AB(D2PAK)

  • 工作溫度 - 結(jié):

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VISHAY/威世
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更多UGB15JT-E3/81供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-25 16:36:00