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WFD2N60

N-ChannelMOSFET

600VN-ChannelMOSFET Features □LowIntrinsicCapacitances □ExcellentSwitchingCharacteristics □ExtendedSafeOperatingArea □UnrivalledGateCharge:8.5nC(Typ.) □BVDSS=600V,ID=2A □LowerRDS(on):5?(Max)@VG=10V □100AvalancheTested

WISDOM

Wisdom technologies Int`l

WFD2N60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

WFD2N60B

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

WFD2N60B

SiliconN-ChannelMOSFET

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司

WFD2N60B

SiliconN-ChannelMOSFET

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司

WFF2N60

SiliconN-ChannelMOSFET

GeneralDescription ThisPowerMOSFETisproducedusingWinsemi’sadvancedplanarstripe,VDMOStechnology.Thislatesttechnologyhasbeenespeciallydesignedtominimizeon-stateresistance,haveahighruggedavalanchecharacteristics.Thisdevicesisspeciallywellsuitedforhighefficien

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司

WFF2N60

N-ChannelMOSFET

Features □LowIntrinsicCapacitances □ExcellentSwitchingCharacteristics □ExtendedSafeOperatingArea □UnrivalledGateCharge:Qg=8.5nC(Typ.) □BVDSS=600V,ID=2A □RDS(on):5?(Max)@VG=10V □100AvalancheTested

WISDOM

Wisdom technologies Int`l

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600VN-ChannelMOSFET

WISDOM

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SiliconN-ChannelMOSFET

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司

WFF2N60B

SiliconN-ChannelMOSFET

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TSC
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只做原裝公司現(xiàn)貨
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TSC/臺(tái)灣半導(dǎo)體
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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TSC/臺(tái)灣半導(dǎo)體
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TSC/臺(tái)灣半導(dǎo)體
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TSC/臺(tái)灣半導(dǎo)體
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