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TJ8S06M3L

Silicon P-Channel MOS (U-MOS)

1.Applications ?Automotive ?MotorDrivers ?DC-DCConverters ?SwitchingVoltageRegulators 2.Features (1)AEC-Q101qualified (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=80mΩ(typ.)(VGS=-10V) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-60V) (4)Enhancementmode:Vth

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TOSHIBA

TJ8S06M3L

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

Bychip

TJ8S06M3L

Power MOSFET (P-ch single)

Application Scope：Motor drivers / Switching regulators\nPolarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅥ\nAEC-Q101：Conform\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本\n; Drain current ID -8 A \nPower Dissipation PD 27 W \nDrain-Source voltage VDSS -60 V \nGate-Source voltage VGSS -20/+10 V \n;

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

Toshiba

TJ8S06M3L

Automotive Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TOSHIBA

TJ8S06M3L

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

VBSEMI

TJ8S06M3L_V01

Silicon P-Channel MOS (U-MOS)

1.Applications ?Automotive ?MotorDrivers ?DC-DCConverters ?SwitchingVoltageRegulators 2.Features (1)AEC-Q101qualified (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=80mΩ(typ.)(VGS=-10V) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-60V) (4)Enhancementmode:Vth

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TOSHIBA

技術(shù)參數(shù)

  • Package name(Toshiba)：

    DPAK+

  • Width×Length×Height(mm)：

    6.5 x 9.5 x 2.3

  • AEC-Q101：

    Qualified

  • Polarity：

    P-ch

  • VDSS(V)：

    -60

  • ID(A)：

    -8.0

  • =10V：

    0.104

  • Qg(nC)：

    19

  • Tch(℃)：

    175

  • RoHS：

    Pb-free leads

  • Lead Finish(Note 3)：

    SnAg

  • Mold：

    Halogen-free

  • Drive voltage type：

    -10V Gate Drive

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多TJ8S06M3L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-3 14:14:00

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