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TIP147T

Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors

MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-5A(Min.) ?IndustrialUse ?ComplementtoTIP140T/141T/142T

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

TIP147T

SILICON PLANAR POWER DARLINGTON TRANSISTORS

SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ForuseinPowerLinearandSwitchingApplications

TELTokyo Electron Ltd.

東電電子東京電子有限公司

TIP147T

Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors

MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP140/141/142

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

TIP147T

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

Description Thedevicesaremanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layoutandmonolithicDarlingtonconfiguration.Theresultingtransistorsshowexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■MonolithicDarlingtonconfiguration ■

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

TIP147T

SILICON PLANAR POWER DARLINGTON TRANSISTORS

SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ForuseinPowerLinearandSwitchingApplications

CDIL

Continental Device India Limited

TIP147T

PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor

MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-5A(Min.) ?IndustrialUse ?ComplementtoTIP140T/141T/142T

SYC

SYC Electronica

TIP147TPNP

SILICON PLANAR POWER DARLINGTON TRANSISTORS

SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ForuseinPowerLinearandSwitchingApplications

CDIL

Continental Device India Limited

TIP147TTU

PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor

MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-5A(Min.) ?IndustrialUse ?ComplementtoTIP140T/141T/142T

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

TIP147TU

PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor

Features ?MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-5A(Min.) ?IndustrialUse ?ComplementtoTIP140/141/142

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

TIP147G

Darlington Complementary Silicon Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    TIP147

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    PNP - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 40mA，10A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    2mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 5A，4V

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    TRANS PNP DARL 100V 10A TO247-3

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST(意法半導體)
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T0220-3
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ST
23+
TO-247
96000
一級分銷商
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STM
23+
TO-247-3
6000
原裝現(xiàn)貨支持送檢
 詢價
更多TIP147供應商 更新時間2025-7-26 8:12:00

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