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TIP146F中文資料三星數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

TIP146F
廠商型號(hào)

TIP146F

功能描述

PNP (HIGH DC CURRENT GAIN)

文件大小

175.17 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SAMSUNG三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-15 17:11:00

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TIP146F規(guī)格書詳情

HIGH DC CURRENT GAIN

MIN hFE=1000@ VCE = -4V, IC= -5A

Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors Industrial Use

Complement to TIP140F/141F/142F

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    TIP146F

  • 功能描述:

    達(dá)林頓晶體管

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶體管極性:

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流:

    0.5 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    SOIC-18

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Fairchild
2001
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