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TIP121分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

TIP121
廠商型號

TIP121

參數(shù)屬性

TIP121 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 80V 5A TO220-3

功能描述

DARLINGTON 5 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

251.64 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡稱

MOTOROLA摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-8 12:29:00

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TIP121規(guī)格書詳情

Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.

? High DC Current Gain —

hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc

? Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mAdc

VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — TIP120, TIP125

= 80 Vdc (Min) — TIP121, TIP126

= 100 Vdc (Min) — TIP122, TIP127

? Low Collector–Emitter Saturation Voltage —

VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc

= 4.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc

? Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors

? TO–220AB Compact Package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    TIP121

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    4V @ 20mA,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 3A,3V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 80V 5A TO220-3

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