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TG-122

HIGH ENERGY SPARK GAP DEVICES

DESCRIPTION CPClare’sTGLegacySeriesoftwoelectrodesparkgapsexcelinapplicationsthatrequiretheefficienttransferofhighvoltage,highenergypulsesandDCovervoltageprotectionformagnetrons,diodes,capacitors,etc.TheTGLegacySeriesalsoincludesthreeelectrodetriggeredsp

Clare

Clare, Inc.

THS122

HIGHSTABILITYMOTORCONTROL.DIGITALTACHOMETER.CRANKSHAFTPOSITIONSENSOR.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TIP122

DARLINGTON5AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS

PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. ?HighDCCurrentGain— hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc ?Collector–EmitterSustainingVoltage—@100mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)—TIP12

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

TIP122

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS

Description Thedevicesaremanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layoutandmonolithicDarlingtonconfiguration.Theresultingtransistorsshowexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltage ■Comp

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

TG1802-332SI

TG
SOT23

TG

相關(guān)企業(yè)：深圳市榮澤信電子科技有限公司

TG

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更多TG-122供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 10:19:00

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