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SVD3205T

絲印：SVD3205T；Package：TO-220-3L；110A, 55V N-CHANNEL MOSFET

DESCRIPTION SVD3205T/F/SisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryflat low-voltagestructureVDMOStechnology.Theimprovedprocessand cellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimizeon-state resistance,providesup

SILANSilan Microelectronics Joint-stock

士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司

SVD3205T

110A、55VN溝道增強型場效應管

SVD3205T/F/S N溝道增強型功率MOS場效應晶體管采用士蘭微電子平面低壓VDMOS 工藝技術(shù)制造。先進的工藝及元胞設計結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。\n\n 該產(chǎn)品可廣泛應用于電子鎮(zhèn)流器，低功率開關(guān)電源。\n\n \n\n; ? 110A，55V，RDS(on)（典型值）=7.5mW@VGS=10V\n? 低柵極電荷量\n? 低反向傳輸電容\n? 開關(guān)速度快?\n? 提升了dv/dt 能力\n;

SilanSilan Microelectronics Joint-stock

士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司

SVD3205T

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBSEMI

SVI3205

SVI3205B/StereoPowerAmplifier

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

SANYO

SVI3205

SVI3205B/StereoPowerAmplifier

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

SVI3205B

SVI3205B/StereoPowerAmplifier

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

SANYO

技術(shù)參數(shù)

  • Polarity：

    N

  • Vdss (V)：

    55

  • Id (A)Tc=25℃：

    110

  • Vgs (th) (V)：

    2.0~3.5

  • Rds(on) @10V typ (m?)：

    7.5

  • Rds (on) @10Vmax (m?)：

    8

  • Qg@10Vtyp (nC)：

    67

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
士蘭微
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更多SVD3205T供應商 更新時間2025-8-3 14:08:00

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