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STQ2LN60K3-AP

N溝道600 V、4 Ohm典型值、0.6 A MDmesh K3功率MOSFET，TO-92封裝; ? 100% avalanche tested \n? Extremely high dv/dt capability \n? Very low intrinsic capacitance \n? Improved diode reverse recovery characteristics \n? Zener-protected;

This MDmesh? K3 Power MOSFET is the result of improvements applied to STMicroelectronics’ MDmesh? technology, combined with a new optimized vertical structure. This device boasts an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering it suitable for the most demanding applications.\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STQ2LN60K3-AP

絲印：2LN60K3；Package：TO-92；N-channel 600 V, 4 廓 typ., 0.6 A MDmesh??K3 Power MOSFET in a TO-92 package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

2LN60K3

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

STD2LN60K3

N-channel600V,4typ.,2ASuperMESH3PowerMOSFETinDPAK,TO-220FPandIPAKpackages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STD2LN60K3

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

STF2LN60K3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STF2LN60K3

N-channel600V,4typ.,2ASuperMESH3PowerMOSFETinDPAK,TO-220FPandIPAKpackages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STU2LN60K3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STU2LN60K3

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

STU2LN60K3

N-channel600V,4typ.,2ASuperMESH3PowerMOSFETinDPAK,TO-220FPandIPAKpackages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    TO-92

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    4.5

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    0.6

  • PTOT_max(W)：

    2.5

  • Qg_typ(nC)：

    12

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST(意法半導(dǎo)體)
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更多STQ2LN60K3-AP供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 16:12:00

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