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STP12N50M2

N溝道500 V、0.325 Ohm典型值、10 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220封裝; ? Extremely low gate charge \n? Lower RDS(on)x area vs previous generation \n? Low gate input resistance \n? 100% avalanche tested \n? Zener-protected;

This device is an N-channel Power MOSFET developed using a new generation of MDmesh? technology: MDmesh II Plus? low Qg. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STP12N50M2

Extremely low gate charge

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STD12N50M2

Zener-protected

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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STF12N50M2

Lowgateinputresistance

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STP12NM50N

ST
TO-220F

ST

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    TO-220AB

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    500

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.38

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    10

  • PTOT_max(W)：

    85

  • Qg_typ(nC)：

    15

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STP12N50M2供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 19:27:00

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