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STL19N3LLH6AG

Automotive-grade N-channel 30 V, 23 mΩ typ., 10 A, STripFETTM H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

Features ?AEC-Q101qualified ?Verylowon-resistance ?Verylowgatecharge ?Highavalancheruggedness ?Lowgatedrivepowerloss ?Logiclevel ?Wettableflankpackage Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingtheSTripFET?H6 technologywithanewtrenc

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STL19N3LLH6AG

汽車級N溝道30 V、25 mOhm典型值、10 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝; ? AEC-Q101 qualified \n? Very low on-resistance \n? Very low gate charge \n? High avalanche ruggedness \n? Low gate drive power loss \n? Logic level \n? Wettable flank package;

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET? H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STD19N3LLH6AG

Highavalancheruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STS19N3LLH6

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

STS19N3LLH6

Highavalancheruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    PowerFLAT 5x6 WF

  • Grade：

    Automotive

  • VDSS(V)：

    30

  • RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)：

    0.05

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.033

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    10

  • PTOT_max(W)：

    30

  • Qg_typ(nC)：

    3.7

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STL19N3LLH6AG供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 14:01:00

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