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STD9N65DM6AG

Automotive-grade N-channel 650 V, 365 m typ., 9 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

Features ?AEC-Q101qualified ?Fast-recoverybodydiode ?LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration ?Lowgatecharge,inputcapacitanceandresistance ?100avalanchetested ?Extremelyhighdv/dtruggedness ?Zener-protected Description Thishigh-voltageN-channelPowerMOSFETis

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STD9N65DM6AG

Automotive-grade N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 9 A MDmesh DM6 Power MOSFET in DPAK package; ? AEC-Q101 qualified \n? Fast-recovery body diode \n? Lower RDS(on) per area vs previous generation \n? Low gate charge, input capacitance and resistance \n? 100% avalanche tested \n? Extremely high dv/dt ruggedness \n? Zener-protected;

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    DPAK

  • Grade：

    Automotive

  • VDSS(V)：

    650

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.44

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    9

  • PTOT_max(W)：

    89

  • Qg_typ(nC)：

    11.7

  • Features：

    Fast recovery diode

  • Reverse Recovery Time_typ(ns)：

    80

  • Qrr_typ(nC)：

    290

  • Peak Reverse Current_nom(A)：

    7.2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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TO 252 DPAK
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更多STD9N65DM6AG供應(yīng)商 更新時間2025-6-24 13:14:00

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