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STD96N3LLH6

N溝道30 V、0.0037 Ohm典型值、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，DPAK封裝; ? RDS(on)* Qgindustry benchmark \n? Extremely low on-resistance RDS(on) \n? High avalanche ruggedness \n? Low gate drive power losses;

This product is an N-channel Power MOSFET that utilizes the 6th generation of design rules of ST’s proprietary STripFET? technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STD96N3LLH6

N-channel 30 V, 0.0037 廓, 80 A, DPAK STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    DPAK

  • Grade：

    Automotive

  • VDSS(V)：

    30

  • RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)：

    0.007

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.0042

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    80

  • PTOT_max(W)：

    70

  • Qg_typ(nC)：

    20

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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ST(意法半導(dǎo)體)
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更多STD96N3LLH6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 10:12:00

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