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TK4A60DB

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(π-MOSⅦ)

SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=1.6Ω(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=2.2S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) ?Enhancementmode:Vth=2.4to4.4V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TK4A60DB

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TP4A60S

SensitiveGateTriac

APOLLOELECTRON

Apollo Electron Co., Ltd.

TR4A60

TR4A60

APOLLOELECTRON

Apollo Electron Co., Ltd.

TR4A60S

SensitiveGateTriac

GeneralDescription ThisdeviceissuitablefordirectcouplingtoTTL,HTL,CMOSandapplicationsuchasvariouslogicfunctions,lowpowerACswitchingapplications,suchasfanspeed,smalllightcontrollersandhomeapplianceequipment.ThisdevicemaysubstituteforZ0405MF,2N6075,BT134-

APOLLOELECTRON

Apollo Electron Co., Ltd.

VSIB4A60

Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

WTD4A60S

SensitiveGateTriac

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司

WTPB4A60SW

Bi-DirectionalTriodeThyristor

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Vdrm (V)：

    600

  • Vrrm (V)：

    600

  • IT(RMS) [min] (A)：

    4

  • ITSM [min] (A)：

    35

  • IGT [max] (mA)：

    5

  • VTM [min] (V)：

    1.6

  • I2t (A2s)：

    6

  • dI/dt (A/μs)：

    50

  • Tj [max] (°C)：

    125

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多STD4A60供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 9:03:00

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