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STD3NM60-1中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STD3NM60-1
廠商型號(hào)

STD3NM60-1

功能描述

N-CHANNEL 600V - 1.3ohm - 3A TO-220/DPAK/IPAK Zener-Protected MDmesh??ower MOSFET

文件大小

548.98 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-9 10:51:00

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STD3NM60-1規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The MDmesh? is a new revolutionary MOSFET technology that associates the Multiple Drain process with the Company’s PowerMESH? horizontal layout. The resulting product has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics.

■ TYPICAL RDS(on) = 1.3 ?

■ HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES

■ IMPROVED ESD CAPABILITY

■ LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE

CHARGE

■ LOW GATE INPUT RESISTANCE

■ TIGHT PROCESS CONTROL AND HIGH

MANUFACTORING YIELDS

APPLICATIONS

The MDmesh? family is very suitable for increase

the power density of high voltage converters allowing

system miniaturization and higher efficiencies.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STD3NM60-1

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch, 600V-1.3ohms Mdmesh 3A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
STM原廠目錄
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ST(意法)
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正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
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