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STD12N06中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STD12N06
廠商型號

STD12N06

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

文件大小

177.93 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-15 22:59:00

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STD12N06規(guī)格書詳情

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

■ TYPICAL RDS(on) = 0.1 ?

■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC

■ LOW GATE CHARGE

■ HIGH CURRENT CAPABILITY

■ 175°C OPERATING TEMPERATURE

■ APPLICATION ORIENTED

CHARACTERIZATION

■ THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER

PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”)

■ SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)

POWER PACKAGE IN TAPE & REEL

(SUFFIX ”T4”)

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SOLENOID AND RELAY DRIVERS

■ REGULATORS

■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS

■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS

■ AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,

ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STD12N06

  • 功能描述:

    MOSFET TO-251 N-CH 60V 12A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
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