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STD10NM60N中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STD10NM60N
廠商型號

STD10NM60N

功能描述

N-channel 600 V, 0.53 ohm, 10 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAK MDmesh II Power MOSFET

絲印標(biāo)識

10NM60N

封裝外殼

DPAK

文件大小

907.61 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-7 22:58:00

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STD10NM60N規(guī)格書詳情

Description

These devices are N-channel 600 V Power MOSFET realized using the second generation of MDmesh? technology. It applies the benefits of the multiple drain process to STMicroelectronics’ well-known PowerMESH? horizontal layout structure. The resulting product offers improved on-resistance, low gate charge, high dv/dt capability and excellent avalanche characteristics.

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Application

Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STD10NM60N

  • 功能描述:

    MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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