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STB80NF03L-04-1中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STB80NF03L-04-1
廠商型號

STB80NF03L-04-1

功能描述

N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET??II POWER MOSFET

文件大小

360.2 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-23 16:48:00

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STB80NF03L-04-1規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique Single Feature Size? stripbased process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.0035?

■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ LOW THRESHOLD DRIVE

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS

■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS

■ AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,

ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STB80NF03L-04-1

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch, 30V-0.0035ohms 80A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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