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STB10LN80K5中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STB10LN80K5
廠商型號

STB10LN80K5

功能描述

N-channel 800 V, 0.55 Ω typ., 8 A MDmesh? K5 Power MOSFET in a D2PAK package

絲印標識

10LN80K5

封裝外殼

D2PAK

文件大小

920.57 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-10 23:00:00

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STB10LN80K5規(guī)格書詳情

Features

? Industry’s lowest RDS(on) x area

? Industry’s best figure of merit (FoM)

? Ultra-low gate charge

? 100 avalanche tested

? Zener-protected

Applications

? Switching applications

Description

This very high voltage N-channel Power

MOSFET is designed using MDmesh? K5

technology based on an innovative proprietary

vertical structure. The result is a dramatic

reduction in on-resistance and ultra-low gate

charge for applications requiring superior power

density and high efficiency.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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