首頁(yè) >SSM6N7002KFU,LF(T>規(guī)格書列表
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MOSFET60VDUALN-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION V DS60V V GS20V ID(A)= 0.29A R DS(ON)ON)=1.5Ω(@VGS=10V R DS(ON)ON)=2.0Ω(@VGS=4.5V The AM6N7002KisavailableinSC706package FEATURES ?HighSpeedSwitching ?ESDProtection>2kVHBM ?AvailableinSC706package APPLICATIONS ?Portable | AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技 | AITSEMI | ||
DualN-Channel60V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司 | VBSEMI | ||
High-SpeedSwitchingApplicationsAnalogSwitchApplications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
DualN-Channel60V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司 | VBSEMI | ||
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HighSpeedSwitchingApplications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS 1.Applications ?High-SpeedSwitching 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA |
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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