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SSM3K329R_V01

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?PowerManagementSwitches ?High-SpeedSwitching Features (1)1.8-Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=289mΩ(max)(@VGS=1.8V) RDS(ON)=170mΩ(max)(@VGS=2.5V) RDS(ON)=126mΩ(max)(@VGS=4.0V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

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更多SSM3K329R_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-28 12:57:00