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TPS2350PWR	文件：1.06421 Mbytes Page：27 Pages	HotSwapPowerManagerforRedundant??8-VSupplies	TI1Texas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI1
TPS2350PWR	文件：368.54 Kbytes Page：21 Pages	HOTSWAPPOWERMANAGERFORREDUNDANT-48-VSUPPLIES	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
TVCO-2350	文件：555.51 Kbytes Page：4 Pages	SMDVOLTAGECONTROLLEDOSCILLATOR(12.8X12.8X4.0MM) FEATURES ?WIDEFREQUENCYRANGEVCO ?LOWPHASENOISE ?FASTDELIVERY/LOWCOST ?CUSTOMFREQUENCYRANGEAVAILABLE-CONTACTSALES@TRANSKO.COM	Transko Transko Electronics, Inc.	Transko
TZ2350A	文件：321.6 Kbytes Page：5 Pages	HC49US6.8203125MHzCrystalUnit Features: SurfaceMountSeamWeldPackage GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature DescriptionandApplications: HC49UScrystalunitforuseinwirelesstelecommunicationsdevices	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
U2350B	文件：118.6 Kbytes Page：9 Pages	PWMSpeedControlforPermanentExcitedDCMotors	Temic TEMIC Semiconductors	Temic
U2350B-FP	文件：118.6 Kbytes Page：9 Pages	PWMSpeedControlforPermanentExcitedDCMotors	Temic TEMIC Semiconductors	Temic
UPA2350	文件：417.25 Kbytes Page：11 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2350isaDualN-channelMOSFETdesignedforLi-ion batteryprotectioncircuit. EcologicallyFlipchipMOSFETforLithium-IonbatteryProtection (EFLIP). FEATURES ?MonolithicDualMOSFET TheDrainconnectiononcircuitboardisunnecessary,because Drainsof2MOSFETare	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPA2350B	文件：445.01 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2350BisaDualN-channelMOSFETdesignedfor Lithium-Ionbatteryprotectioncircuit. EcologicallyFlipchipMOSFETforLithium-IonbatteryProtection (EFLIP). FEATURES ?MonolithicDualMOSFET ConnectingtheDrainsonthecircuitboardisnotrequired becausetheDrain	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
USSP2350-LF	文件：73 Kbytes Page：2 Pages	Voltage-ControlledOscillatorSurfaceMountModule	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM
USSP2350-LF	文件：67.94 Kbytes Page：2 Pages	Voltage-ControlledOscillatorSurfaceMountModule	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM

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