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SPP11N65C3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

SPP11N65C3
廠商型號(hào)

SPP11N65C3
參數(shù)屬性

SPP11N65C3 包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
功能描述

New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
文件大小

1.01964 Mbytes
頁面數(shù)量

15 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

INFINEON【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-24 22:59:00
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SPP11N65C3規(guī)格書詳情

SPP11N65C3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的SPP11N65C3晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    SPP11N65C3HKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 系列：

    CoolMOS?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    11A（Tc）

  • 描述：

    MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

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