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SPP11N60C2中文資料微碧半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SPP11N60C2
廠商型號

SPP11N60C2
功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET
文件大小

1.03546 Mbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

VBSEMI【微碧半導體】

中文名稱

微碧半導體（臺灣）有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-24 22:59:00
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SPP11N60C2規(guī)格書詳情

Features

? Low VCE(sat).

VCE(sat)=-0.55V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A)

? Excellent DC current gain characteristics.

Structure

Epitaxial planar type PNP silicon transistor

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    SPP11N60C2

  • 制造商：

    INFINEON

  • 制造商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述：

    Cool MOS⑩ Power Transistor

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON/英飛凌
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