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SPD30N03S2L

N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRITION ?Superiorthermalresistance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤10m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPD30N03S2L07

OptiMOSa Power-Transistor

Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD30N03S2L-07

OptiMOS Power-Transistor

Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD30N03S2L-07

OptiMOSa Power-Transistor

Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD30N03S2L-07

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SPD30N03S2L07T

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SPD30N03S2L-08

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SPD30N03S2L-10

OptiMOS Power-Transistor

Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?LowOn-ResistanceRDS(on) ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD30N03S2L-10

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SPD30N03S2L-10G

OptiMOS Power-Transistor

Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?LowOn-ResistanceRDS(on) ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SPD30N03S2L

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 30A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFIENION
06+
原廠原裝
2481
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價(jià)
INFINEON
23+
TO-252
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
INFINEON
23+
SOT-252
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
infineon
1415+
TO-252(DPAK)
28500
全新原裝正品,優(yōu)勢(shì)熱賣(mài)
 詢價(jià)
INFINEON
2016+
TO-252
6877
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!
 詢價(jià)
INFINEO
2020+
TO-252
6877
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
 詢價(jià)
INFINEON
17+
TO-252
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON
TO-252
6877
正品原裝--自家現(xiàn)貨-實(shí)單可談
 詢價(jià)
INFINEON
24+
TO-252
1450
詢價(jià)
INF
24+
TO-252-2
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多SPD30N03S2L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-25 15:59:00

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