SGR2N60UFDTF_分立半導體產品晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導體

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廠家型號：
SGR2N60UFDTF
制造商：
ONSEMI/安森美半導體
庫存數量：
0
類別：
分立半導體產品晶體管-UGBT、MOSFET-單
封裝外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
包裝：
管件
安裝類型：
表面貼裝型
更新時間：
2025-7-30 16:36:00

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原廠料號：SGR2N60UFDTF品牌：onsemi

資料說明：IGBT 600V 2.4A 25W DPAK

SGR2N60UFDTF是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ONSEMI/安森美半導體生產封裝TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的SGR2N60UFDTF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

芯片型號：
sgr2n60ufdtf
規(guī)格書：
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企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
資料說明：
IGBT 600V 2.4A 25W DPAK

產品屬性

類型
描述
產品編號：
SGR2N60UFDTF
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，1.2A
開關能量：
30μJ（開），13μJ（關）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關）值：
15ns/80ns
測試條件：
300V，1.2A，200 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝：
TO-252AA
描述：
IGBT 600V 2.4A 25W DPAK

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SGR2N60UFDTF_分立半導體產品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導體

SGR2N60UFDTF

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