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VB30120C

DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VB30120C

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.43VatIF=5A

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HighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.47VatIF=5A

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature2

VishayVishay Siliconix

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DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified

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更多SDURF30120CTR供應商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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