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S9011

TRANSISTOR竊?NPN 竊

TRANSISTOR（NPN） FEATURE Powerdissipation PCM:0.31W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.03A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55℃to+150℃

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

S9011

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1t/marking.html">1T；Package：SOT-23；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES ●CollectorCurrent.(IC=30mA） ●Powerdissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS ●AMconverter,AM/FMifamplifiergeneralpurposetransistor

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

S9011

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR（NPN） FEATURE Powerdissipation PCM:0.31W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.03A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55℃to+150℃

DAYADaya Electric Group Co., Ltd.

大亞電器集團(tuán)大亞電器集團(tuán)有限公司

S9011

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES ●CollectorCurrent.(IC=30mA） ●Powerdissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS ●AMconverter,AM/FMifamplifiergeneralpurposetransistor.

DSK

Diode Semiconductor Korea

S9011

TRANSISTOR (NPN)

FEATURE Powerdissipation PCM:0.31W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.03A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

S9011

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1t/marking.html">1T；Package：SOT-23；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES ●CollectorCurrent.(IC=30mA） ●Powerdissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS ●AMconverter,AM/FMifamplifiergeneralpurposetransistor

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

S9011

SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Features ?CollectorCurrent.(IC=30mA） ?Powerdissipation.(PC=200mW) MechanicalData ?Case:SOT-23,MoldedPlastic ?Terminals:SolderableperMIL-STD-202,Method208 ?Polarity:SeeDiagrams ?Approx.Weight:0.008grams

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司

S9011

Power dissipation

FEATURE Powerdissipation PCM:0.2W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.03A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55℃to+150℃

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司

S9011

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1t/marking.html">1T；Package：SOT-23；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

S9011

雙極型晶體管;

GalaxyGalaxy Power, Inc.

銀河微

技術(shù)參數(shù)

  • Polarity：

    NPN

  • I(BR)CEOMin(V)：

    30

  • IC(A)：

    0.03

  • hFEMin：

    28

  • hFEMax：

    198

  • VCE(V)：

    5

  • VCE(sat)(V)：

    0.3

  • IC(mA)：

    10

  • IB(mA)：

    1

  • fTMin(MHz)：

    150

  • PTMMax(W)：

    0.2

  • Package Outlines：

    SOT-23

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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更多S9011供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 14:20:00

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