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S9013M

TRANSISTOR

FEATURES HighCollectorCurrent.(IC=500mA) ComplementarytoS9012M ExcellenthFElinearity. APPLICATION 150mWOutputAmplifierofPotableRadiosinClassBPush-pullOperation. Forportableequipment:(i.e.Mobilephone,MP3,MD,CD-ROM,DVD-ROM,NotebookPC,etc.)

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

S9013R

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES ComplementarytoS9012 ExcellenthFElinearity

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

S9013T

NPNEpitaxialSiliconTransistor

FEATURE Powerdissipation PCM:0.625WTamb=25°C Collectorcurrent ICM:0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55to+150°C

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

S9013-TA

Plastic-EncapsulateTransistors

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

S9013W

0.5A,40VNPNPlasticEncapsulatedTransistor

FEATURES ●HighCollectorCurrent ●ExcellentHFELinearity

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

S9013W

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES ●HighCollectorCurrent ●ExcellentHFELinearity

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司

S9013W

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●HighCollectorCurrent.(IC=500mA） ●ComplementaryToS9012. ●ExcellentHFELinearity. ●Powerdissipation.(PT=200mW) APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

S9013W

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

S9013W

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●HighCollectorCurrent.(IC=500mA） ●ComplementaryToS9012. ●ExcellentHFELinearity. ●Powerdissipation.(PT=200mW) APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.

DSK

Diode Semiconductor Korea

S9013W

SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCollectorCurrent ●ExcellentHFELinearity

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

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更多RT9013-CIPQV供應商 更新時間2025-6-22 9:12:00

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