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IRHNS63260	文件：1.45948 Mbytes Page：14 Pages	RadiationHardenedPowerMOSFETSurfaceMount(SupIR-SMD?)200V,56A,N-channel,R6Technology Features ?Singleeventeffect(SEE)hardened (uptoLETof90MeV·cm2/mg) ?LowRDS(on) ?Lowtotalgatecharge ?Simpledriverequirements ?Hermeticallysealed ?Ceramicpackage ?Lightweight ?Surfacemount ?ESDrating:Class3AperMIL-STD-750,Method1020 PotentialApplication	IRF International Rectifier
RT6576DGQW	文件：0 bytes Page：0 Pages	RICHTEK/立锜 WQFN20	RICHTEK/立锜上傳：深圳市華來深電子有限公司	RICHTEK/立锜
RT7232GQW	文件：0 bytes Page：0 Pages	RICHTEK QFN	RichTekRichtek Technology Corporation 立锜科技立锜科技股份有限公司上傳：深圳市振宏微科技有限公司	RichTek

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